IRF640PBF 与 IRF640NPBF 区别
| 型号 | IRF640PBF | IRF640NPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-IRF640PBF-1 | A-IRF640NPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3 | Single N-Channel 200 V 0.15 Ohm 67 nC 150 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 4.7mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.5Ω | 150mΩ@11A,10V |
| 上升时间 | 17ns | - |
| Qg-栅极电荷 | 8.2nC | - |
| 栅极电压Vgs | 2V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | 0.8S | - |
| 封装/外壳 | TO-220AB-3 | TO-220AB |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 3.3A | 18A |
| 配置 | Single | - |
| 长度 | 10.41mm | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 下降时间 | 8.9ns | - |
| 高度 | 15.49mm | - |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | 36W | 150W(Tc) |
| 典型关闭延迟时间 | 14ns | - |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 系列 | IRF | HEXFET® |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1300pF @ 25V | 1160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 70nC @ 10V | 67nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | 8.2ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF640PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 3.3A 36W 1.5Ω 200V 2V TO-220AB-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRF640NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 150W(Tc) 150mΩ@11A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 18A 200V TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
STP20NF20 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 3,800 | 对比 |
|
|
STP20NF20 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
FQP19N20L | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRF640/93 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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