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IRF640NS  与  SIHF640S-GE3  区别

型号 IRF640NS SIHF640S-GE3
唯样编号 A3t-IRF640NS A3t-SIHF640S-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TO-263AB
连续漏极电流Id - 18A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 180 mOhms @ 11A,10V
漏源极电压Vds - 200V
Pd-功率耗散(Max) - 3.1W(Ta),130W(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 4V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF640NS ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
IRL640PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

17A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 10A,5V 125W TO-220-3 -55°C~150°C 200V

暂无价格 0 对比
IRL640PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

17A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 10A,5V 125W TO-220-3 -55°C~150°C 200V

暂无价格 0 对比
IRL640PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

17A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 10A,5V 125W TO-220-3 -55°C~150°C 200V

暂无价格 0 对比
SIHF640S-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

18A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 11A,10V 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263AB -55°C~150°C 200V

暂无价格 0 对比

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