IRF620PBF 与 IRFB42N20DPBF 区别
| 型号 | IRF620PBF | IRFB42N20DPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-IRF620PBF | A-IRFB42N20DPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 200 V 0.8 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB | Single N-Channel 200 V 2.4 W 91 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 800 mOhms @ 3.1A,10V | 55mΩ@26A,10V |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | 50W | 2.4W(Ta),330W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB |
| 连续漏极电流Id | 5.2A(Tc) | 44A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3430pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 140nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3430pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 140nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF620PBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.2A(Tc) N-Channel 800 mOhms @ 3.1A,10V 50W TO-220-3 -55°C~150°C 200V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
FQP4N20L | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
IRFB42N20DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 2.4W(Ta),330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 55mΩ@26A,10V N-Channel 200V 44A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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