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IRF530A  与  IRF530PBF  区别

型号 IRF530A IRF530PBF
唯样编号 A3t-IRF530A A3t-IRF530PBF-1
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 100 V 0.11 Ohm Flange Mount Advanced Power Mosfet - TO-220-3 Single N-Channel 100 V 0.16 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 55W -
宽度 4.7mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 110 m0hms 160 mOhms @ 8.4A,10V
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 2V -
Vgs(th) - 4V @ 250uA
栅极电压Vgs 10 V 时,27 常闭 -
封装/外壳 10.1*4.7*9.4mm TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 14 A 14A(Tc)
长度 10.1mm -
最低工作温度 -55 °C -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
最高工作温度 +175 °C -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 790pF @ 25V -
高度 9.4mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 55 ns -
漏源极电压Vds 610 pF @ 25 V 100V
晶体管材料 Si -
Pd-功率耗散(Max) 55W(Tc) 88W(Tc)
晶体管配置 -
FET类型 增强 N-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 790pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
典型接通延迟时间 13 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF530A ON Semiconductor 通用MOSFET

55W(Tc) 110m Ohms@7A,10V -55°C~175°C(TJ) 14A 100V 14A(Tc) 110 毫欧 @ 7A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 14 A 100 V 110 m0hms 4V TO-220AB 增强 10.1*4.7*9.4mm 10 V 时,27 常闭 610 pF @ 25 V

暂无价格 0 当前型号
IRF530PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

14A(Tc) N-Channel 160 mOhms @ 8.4A,10V 88W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 100V

暂无价格 14,000 对比
IRF530PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

14A(Tc) N-Channel 160 mOhms @ 8.4A,10V 88W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 100V

暂无价格 0 对比
IRF530PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

14A(Tc) N-Channel 160 mOhms @ 8.4A,10V 88W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 100V

暂无价格 0 对比

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