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IRF5305PBF  与  SUP53P06-20-GE3  区别

型号 IRF5305PBF SUP53P06-20-GE3
唯样编号 A3t-IRF5305PBF A3t-SUP53P06-20-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 SUP53P06 Series 60 V 0.0195 Ohm Flange Mount P-Channel MOSFET - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TO-220-3
功率耗散Pd - 3.1W(Ta),104.2W(Tc)
连续漏极电流Id - 9.2A(Ta),53A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
漏源极电压Vds - 60V
Vgs(最大值) - ±20V
导通电阻Rds(On) - 19.5 mOhms @ 30A,10V
Vgs(th) - 3V @ 250uA
FET类型 - P-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF5305PBF ON Semiconductor 未分类

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SUP53P06-20-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

9.2A(Ta),53A(Tc) P-Channel 19.5 mOhms @ 30A,10V 3.1W(Ta),104.2W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 60V

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