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HUF75617D3SNL  与  SUD20N10-66L-GE3  区别

型号 HUF75617D3SNL SUD20N10-66L-GE3
唯样编号 A3t-HUF75617D3SNL A-SUD20N10-66L-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TO-252
连续漏极电流Id - 16.9A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 66 mOhms @ 6.6A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 2.1W(Ta),41.7W(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 3V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 35
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
HUF75617D3SNL ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
SUD20N10-66L-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

16.9A(Tc) N-Channel 66 mOhms @ 6.6A,10V 2.1W(Ta),41.7W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 100V

暂无价格 35 对比
SUD20N10-66L-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

16.9A(Tc) N-Channel 66 mOhms @ 6.6A,10V 2.1W(Ta),41.7W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 100V

暂无价格 0 对比

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