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HUF75229P3  与  IRFZ48RPBF  区别

型号 HUF75229P3 IRFZ48RPBF
唯样编号 A3t-HUF75229P3 A3t-IRFZ48RPBF
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 90W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 22 毫欧 @ 44A,10V 18 mOhms @ 43A,10V
漏源极电压Vds 50V 60V
Pd-功率耗散(Max) - 190W(Tc)
Vgs(th) - 4V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
连续漏极电流Id 44A(Tc) 50A(Tc)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1060pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 75nC @ 20V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
HUF75229P3 ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
IRFZ48RPBF Vishay 功率MOSFET

50A(Tc) N-Channel 18 mOhms @ 43A,10V 190W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 60V

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