FQPF6N60C 与 IRFIB6N60APBF 区别
| 型号 | FQPF6N60C | IRFIB6N60APBF | ||
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| 唯样编号 | A3t-FQPF6N60C | A-IRFIB6N60APBF | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET | ||
| 描述 | Single N-Channel 600 V 0.75 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率 | 40W(Tc) | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2 欧姆 @ 2.75A,10V | 750 mOhms @ 3.3A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 60W(Tc) | ||
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA | ||
| 栅极电压Vgs | ±30V | - | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 | TO-220-3 | ||
| 连续漏极电流Id | 5.5A(Tc) | 5.5A(Tc) | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| Vgs(最大值) | - | ±30V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 810pF @ 25V | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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FQPF6N60C | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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IRFIB6N60APBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.5A(Tc) N-Channel 750 mOhms @ 3.3A,10V 60W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V |
￥7.83
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0 | 对比 | ||||
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IRFIB6N60APBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.5A(Tc) N-Channel 750 mOhms @ 3.3A,10V 60W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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