FQPF2N60C 与 IRFIBC30GPBF 区别
| 型号 | FQPF2N60C | IRFIBC30GPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FQPF2N60C | A3t-IRFIBC30GPBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | N-Channel 600 V 4.7 Ohm Flange Mount Mosfet - TO-220F | IRFIBC30G Series 600 V 2.5 A 2.2 Ohm N-Channel Power MOSFET - TO-220 FULLPAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 23W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.7 欧姆 @ 1A,10V | 2.2 Ohms @ 1.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 23W(Tc) | 35W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±30V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 | TO-220-3 |
| 连续漏极电流Id | 2A | 2.5A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 系列 | QFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 235pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 235pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQPF2N60C | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
2A(Tc) ±30V 23W(Tc) 4.7 Ohms@1A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220F N-Channel 600V 2A 4.7 欧姆 @ 1A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 整包 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
|
IRFIBC30GPBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.5A(Tc) N-Channel 2.2 Ohms @ 1.5A,10V 35W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRFI820GPBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.1A(Tc) N-Channel 3 Ohms @ 1.3A,10V 30W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 500V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
