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FQP8P10  与  IRF9530PBF  区别

型号 FQP8P10 IRF9530PBF
唯样编号 A3t-FQP8P10 A3t-IRF9530PBF-1
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 100V, 8A, 0.53OHM, P-CHANNEL, TO-220 Single P-Channel 100 V 0.3 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 65W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 530 毫欧 @ 4A,10V 300 mOhms @ 7.2A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 65W(Tc) 88W(Tc)
Vgs(th) - 4V @ 250uA
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 8A(Tc) 12A(Tc)
系列 QFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 470pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 470pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQP8P10 ON Semiconductor 通用MOSFET

65W(Tc) 530m Ohms@4A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB 8A P-Channel 100V 8A(Tc) ±30V 530 毫欧 @ 4A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IRF9530PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

12A(Tc) P-Channel 300 mOhms @ 7.2A,10V 88W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 100V

暂无价格 10,750 对比
IRF9530PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

12A(Tc) P-Channel 300 mOhms @ 7.2A,10V 88W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 100V

暂无价格 0 对比
IRF9530PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

12A(Tc) P-Channel 300 mOhms @ 7.2A,10V 88W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 100V

暂无价格 0 对比

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