FQP5N80 与 IRFBE30PBF 区别
| 型号 | FQP5N80 | IRFBE30PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FQP5N80 | A3t-IRFBE30PBF-1 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 140W(Tc) | - |
| 宽度 | - | 4.7 mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.6 欧姆 @ 2.4A,10V | 3Ω |
| 漏源极电压Vds | 800V | 800V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 125W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 连续漏极电流Id | 4.8A(Tc) | 4.1A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | IRF |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 长度 | - | 10.41 mm |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 78nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1250pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 33nC @ 10V | - |
| 高度 | - | 15.49 mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FQP5N80 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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IRFBE30PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 800V 4.1A 3Ω |
暂无价格 | 12,000 | 对比 |
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IRFBE30PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 800V 4.1A 3Ω |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRFBE30PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 800V 4.1A 3Ω |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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