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FQP4N90C  与  IRFBF30PBF  区别

型号 FQP4N90C IRFBF30PBF
唯样编号 A3t-FQP4N90C A3-IRFBF30PBF
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 900 V 3.7 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 140W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2 欧姆 @ 2A,10V 3.7 Ohms @ 2.2A,10V
漏源极电压Vds 900V 900V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 125W
Vgs(th) - 4V @ 250uA
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 4A(Tc) 3.6A(Tc)
系列 QFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 960pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 960pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 5,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQP4N90C ON Semiconductor 功率MOSFET

±30V 140W(Tc) 4.2 Ohms@2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 N-Channel 900V 4A 4A(Tc) 4.2 欧姆 @ 2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IRFBF30PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

3.6A(Tc) N-Channel 3.7 Ohms @ 2.2A,10V 125W TO-220-3 -55°C~150°C 900V

暂无价格 5,000 对比
IRFBF30PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

3.6A(Tc) N-Channel 3.7 Ohms @ 2.2A,10V 125W TO-220-3 -55°C~150°C 900V

暂无价格 50 对比
IRFBF30PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

3.6A(Tc) N-Channel 3.7 Ohms @ 2.2A,10V 125W TO-220-3 -55°C~150°C 900V

暂无价格 0 对比

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