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FQP4N80  与  FQP3N80C  区别

型号 FQP4N80 FQP3N80C
唯样编号 A3t-FQP4N80 A3t-FQP3N80C
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 800 V 3.6 O 130 W 25 nC QFET Mosfet - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率 - 107W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.6Ω@1.95A,10V 4.8 欧姆 @ 1.5A,10V
漏源极电压Vds 800V 800V
Pd-功率耗散(Max) 130W 107W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220 TO-220AB
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.9A 3A
系列 - QFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 705pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 16.5nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 705pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 16.5nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQP4N80 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220 N-Channel 130W 3.6Ω@1.95A,10V -55°C~150°C ±30V 800V 3.9A

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