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FQP4N80  与  STP3N80K5  区别

型号 FQP4N80 STP3N80K5
唯样编号 A3t-FQP4N80 A-STP3N80K5
制造商 ON Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 800 V 3.6 O 130 W 25 nC QFET Mosfet - TO-220 MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-220 TO-220-3
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id 3.9A -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.6Ω@1.95A,10V -
漏源极电压Vds 800V -
Pd-功率耗散(Max) 130W -
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQP4N80 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220 N-Channel 130W 3.6Ω@1.95A,10V -55°C~150°C ±30V 800V 3.9A

暂无价格 0 当前型号
STP3N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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FQP3N80C ON Semiconductor 功率MOSFET

3A(Tc) ±30V 107W(Tc) 4.8 Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 800V 3A 4.8 欧姆 @ 1.5A,10V -55°C~150°C(TJ)

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