FQP3N80C 与 IRFBE30PBF 区别
| 型号 | FQP3N80C | IRFBE30PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FQP3N80C | A3-IRFBE30PBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 107W(Tc) | - |
| 宽度 | - | 4.7 mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.8 欧姆 @ 1.5A,10V | 3Ω |
| 漏源极电压Vds | 800V | 800V |
| Pd-功率耗散(Max) | 107W(Tc) | 125W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220-3 |
| 连续漏极电流Id | 3A | 4.1A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | QFET® | IRF |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 705pF @ 25V | 1300pF @ 25V |
| 长度 | - | 10.41 mm |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 16.5nC @ 10V | 78nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 705pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 16.5nC @ 10V | - |
| 高度 | - | 15.49 mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 14,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQP3N80C | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
3A(Tc) ±30V 107W(Tc) 4.8 Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 800V 3A 4.8 欧姆 @ 1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
|
IRFBE30PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 800V 4.1A 3Ω |
暂无价格 | 14,000 | 对比 |
|
|
IRFBE30PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 800V 4.1A 3Ω |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRFBE30PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 800V 4.1A 3Ω |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
