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FQP3N50C  与  SIHP5N50D-GE3  区别

型号 FQP3N50C SIHP5N50D-GE3
唯样编号 A3t-FQP3N50C A3t-SIHP5N50D-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述 N Channel 500 V 1.5 O 104 W Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TO-220-3
连续漏极电流Id - 5.3A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.5 Ohms @ 2.5A,10V
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 104W(Tc)
Vgs(最大值) - ±30V
Vgs(th) - 5V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQP3N50C ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
SIHP5N50D-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.3A(Tc) N-Channel 1.5 Ohms @ 2.5A,10V 104W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 500V

暂无价格 50 对比
SIHP5N50D-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.3A(Tc) N-Channel 1.5 Ohms @ 2.5A,10V 104W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 500V

暂无价格 0 对比

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