FQP30N06L 与 PSMN4R6-60PS,127 区别
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规格信息
型号	FQP30N06L	PSMN4R6-60PS,127
唯样编号	A3t-FQP30N06L	A3t-PSMN4R6-60PS,127
制造商	ON Semiconductor	Nexperia
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	N-Channel 60 V 40 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220	MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
数据表		PSMN4R6-60PS.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	79W(Tc)	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	35 毫欧 @ 16A,10V	-
漏源极电压Vds	60V	60V
Pd-功率耗散(Max)	79W(Tc)	211W
输出电容	-	567pF
栅极电压Vgs	±20V	3V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-220-3	SOT78
工作温度	-55°C~175°C(TJ)	175°C
连续漏极电流Id	32A(Tc)	100A
系列	QFET®	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1040pF @ 25V	-
输入电容	-	4426pF
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	20nC @ 5V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	5V,10V	-
Rds On(max)@Id,Vgs	-	4.6mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1040pF @ 25V	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	20nC @ 5V	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
FQP30N06L	ON Semiconductor		功率MOSFET	79W(Tc) 35mΩ@16A,10V -55°C~175°C(TJ) 32A N-Channel 60V 32A(Tc) ±20V 35 毫欧 @ 16A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB TO-220-3	暂无价格	当前型号
PSMN7R6-60PS,127	Nexperia	数据手册	功率MOSFET	SOT78 N-Channel 149W 175°C 3V 60V 92A	暂无价格	对比
PSMN4R6-60PS,127	Nexperia	数据手册	功率MOSFET	SOT78 N-Channel 211W 175°C 3V 60V 100A	暂无价格	对比
IRFZ34NPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40mΩ@16A,10V N-Channel 55V 29A TO-220AB	暂无价格	对比
IRFZ44EPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 23mΩ@29A,10V N-Channel 60V 48A TO-220AB	暂无价格	对比
PSMN3R0-60PS,127	Nexperia	数据手册	功率MOSFET	SOT78 N-Channel 306W 175°C 3V 60V 100A	暂无价格	对比