| 型号 | FQP19N20L | IRF640PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FQP19N20L | A3t-IRF640PBF-1 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 140W(Tc) | - |
| 宽度 | - | 4.7mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 140 毫欧 @ 10.5A,10V | 1.5Ω |
| 上升时间 | - | 17ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 8.2nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 2V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 0.8S |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB-3 |
| 连续漏极电流Id | 21A(Tc) | 3.3A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 10.41mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V,10V | 10V |
| 下降时间 | - | 8.9ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2200pF @ 25V | - |
| 高度 | - | 15.49mm |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 36W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 14ns |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 系列 | - | IRF |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 70nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | - | 8.2ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQP19N20L | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
|
IRF640PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 3.3A 36W 1.5Ω 200V 2V TO-220AB-3 |
暂无价格 | 25,000 | 对比 |
|
|
IRF640PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 3.3A 36W 1.5Ω 200V 2V TO-220AB-3 |
暂无价格 | 20 | 对比 |
|
|
IRF640PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 3.3A 36W 1.5Ω 200V 2V TO-220AB-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
