FQP19N20C 与 IRF640PBF 区别
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规格信息
型号	FQP19N20C	IRF640PBF
唯样编号	A3t-FQP19N20C	A3t-IRF640PBF-1
制造商	ON Semiconductor	Vishay
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	功率MOSFET
描述	N-Channel 200 V 0.17 Ohm Through Hole Mosfet - TO-220-3	Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
数据表		IRF640PBF.pdf sihf640-69595.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	139W(Tc)	-
宽度	-	4.7mm
Rds On(Max)@Id,Vgs	170 毫欧 @ 9.5A,10V	1.5Ω
上升时间	-	17ns
Qg-栅极电荷	-	8.2nC
栅极电压Vgs	±30V	2V
正向跨导 - 最小值	-	0.8S
封装/外壳	TO-220-3	TO-220AB-3
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	19A(Tc)	3.3A
配置	-	Single
长度	-	10.41mm
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	10V
下降时间	-	8.9ns
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1080pF @ 25V	-
高度	-	15.49mm
漏源极电压Vds	200V	200V
Pd-功率耗散(Max)	139W(Tc)	36W
典型关闭延迟时间	-	14ns
FET类型	N-Channel	-
系列	QFET®	IRF
通道数量	-	1Channel
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1080pF @ 25V	1300pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	53nC @ 10V	70nC @ 10V
典型接通延迟时间	-	8.2ns
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	53nC @ 10V	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
FQP19N20C	ON Semiconductor		通用MOSFET	139W(Tc) 170m Ohms@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB 19A N-Channel 200V 19A(Tc) ±30V 170 毫欧 @ 9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3	暂无价格	0	当前型号
IRF640PBF	Vishay	数据手册	功率MOSFET	-55°C~150°C(TJ) 3.3A 36W 1.5Ω 200V 2V TO-220AB-3	暂无价格	25,000	对比
IRF640PBF	Vishay	数据手册	功率MOSFET	-55°C~150°C(TJ) 3.3A 36W 1.5Ω 200V 2V TO-220AB-3	暂无价格	20	对比
IRF640PBF	Vishay	数据手册	功率MOSFET	-55°C~150°C(TJ) 3.3A 36W 1.5Ω 200V 2V TO-220AB-3	暂无价格	0	对比