FQP12P20 与 IRF9640PBF 区别
| 型号 | FQP12P20 | IRF9640PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FQP12P20 | A3-IRF9640PBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | IRF9640 Series 200 V 0.5 Ohms Single P-Channel Power Mosfet - TO-220AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 120W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 470 毫欧 @ 5.75A,10V | 500mΩ |
| 上升时间 | - | 43ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 44nC |
| 栅极电压Vgs | ±30V | 2V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 4.1S |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 11.5A(Tc) | 11A |
| 配置 | - | Single |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 下降时间 | - | 38ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1200pF @ 25V | - |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | 120W(Tc) | 125W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 39ns |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 系列 | QFET® | IRF |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1200pF @ 25V | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 40nC @ 10V | 44nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | - | 14ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 40nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQP12P20 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
120W(Tc) 470m Ohms@5.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB 11.5A P-Channel 200V 11.5A(Tc) ±30V 470 毫欧 @ 5.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
|
IRF9640PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 11A 125W 500mΩ 200V 2V |
暂无价格 | 110 | 对比 |
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IRF9640PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 11A 125W 500mΩ 200V 2V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF9640PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 11A 125W 500mΩ 200V 2V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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