| 型号 | FQP10N20C | IRF630PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FQP10N20C | A-IRF630PBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 200 V 0.36 Ohm Through Hole Mosfet - TO-220 | Single N-Channel 200 V 0.4 O 43 nC Power Mosfet - TO-220-3 (TO-220AB) |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 72W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 360 毫欧 @ 4.75A,10V | 400mΩ |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | 72W(Tc) | 74W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 9.5A(Tc) | 9A |
| 系列 | QFET® | IRF |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 510pF @ 25V | 800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 26nC @ 10V | 43nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 510pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 26nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 30 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FQP10N20C | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
72W(Tc) 360m Ohms@4.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB 9.5A N-Channel 200V 9.5A(Tc) ±30V 360 毫欧 @ 4.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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IRF630PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 74W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 200V 9A 400mΩ |
暂无价格 | 30 | 对比 |
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IRF630PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 74W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 200V 9A 400mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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