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FQD7P20TM  与  IRFR9220PBF  区别

型号 FQD7P20TM IRFR9220PBF
唯样编号 A3t-FQD7P20TM A-IRFR9220PBF
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 200 V 0.69 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3 Single P-Channel 200 V 1.5 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2.5W(Ta),55W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 690 毫欧 @ 2.85A,10V 1.5Ω@2.2A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),55W(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 D-Pak
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.7A(Tc) 3.6A(Tc)
系列 QFET® IRFR
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 25V 340pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V 20nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQD7P20TM ON Semiconductor 功率MOSFET

2.5W(Ta),55W(Tc) 690m Ohms@2.85A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK 5.7A P-Channel 200V 5.7A(Tc) ±30V 690 毫欧 @ 2.85A,10V -55°C~150°C(TJ) D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
IRFR9220PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 200V 3.6A(Tc) ±20V 2.5W(Ta),42W(Tc) 1.5Ω@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR9220PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 200V 3.6A(Tc) ±20V 2.5W(Ta),42W(Tc) 1.5Ω@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) D-Pak

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