FQD6N50CTM 与 IRFP350PBF 区别
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规格信息
型号	FQD6N50CTM	IRFP350PBF
唯样编号	A3t-FQD6N50CTM	A3-IRFP350PBF
制造商	ON Semiconductor	Vishay
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	功率MOSFET
描述	N-Channel 500 V 1.2 Ohm Surface Mount SuperMESH™ MosFet - TO-252-3	Single N-Channel 400 V 0.3 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
数据表		IRFP350PBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	2.5W(Ta),61W(Tc)	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.2 欧姆 @ 2.25A,10V	300 mOhms @ 9.6A,10V
漏源极电压Vds	500V	400V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta),61W(Tc)	190W(Tc)
Vgs(th)	-	4V @ 250uA
栅极电压Vgs	±30V	-
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63	TO-247-3
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C
连续漏极电流Id	4.5A(Tc)	16A(Tc)
系列	QFET®	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	700pF @ 25V	-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	25nC @ 10V	-
Vgs(最大值)	-	±20V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	700pF @ 25V	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	25nC @ 10V	-
库存与单价
库存	0	24,500
工厂交货期	56 - 70天	3 - 15天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
FQD6N50CTM	ON Semiconductor		通用MOSFET	2.5W(Ta),61W(Tc) 1.2 Ohms@2.25A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK 4.5A N-Channel 500V 4.5A(Tc) ±30V 1.2 欧姆 @ 2.25A,10V -55°C~150°C(TJ) D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63	暂无价格	0	当前型号
IRFP350PBF	Vishay	数据手册	功率MOSFET	16A(Tc) N-Channel 300 mOhms @ 9.6A,10V 190W(Tc) TO-247-3 -55°C~150°C 400V	暂无价格	24,500	对比
IRFP350PBF	Vishay	数据手册	功率MOSFET	16A(Tc) N-Channel 300 mOhms @ 9.6A,10V 190W(Tc) TO-247-3 -55°C~150°C 400V	暂无价格	0	对比
IRFP350PBF	Vishay	数据手册	功率MOSFET	16A(Tc) N-Channel 300 mOhms @ 9.6A,10V 190W(Tc) TO-247-3 -55°C~150°C 400V	暂无价格	0	对比
SiHD5N50D-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	5.3A(Tc) N-Channel 1.5 Ohms @ 2.5A,10V 104W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 500V	暂无价格	0	对比