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FQD6N50CTF  与  IRFP350PBF  区别

型号 FQD6N50CTF IRFP350PBF
唯样编号 A3t-FQD6N50CTF A-IRFP350PBF
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 400 V 0.3 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2.5W(Ta),61W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.2 欧姆 @ 2.25A,10V 300 mOhms @ 9.6A,10V
漏源极电压Vds 500V 400V
Pd-功率耗散(Max) - 190W(Tc)
Vgs(th) - 4V @ 250uA
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-247-3
连续漏极电流Id 4.5A(Tc) 16A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQD6N50CTF ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
IRFP350PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

16A(Tc) N-Channel 300 mOhms @ 9.6A,10V 190W(Tc) TO-247-3 -55°C~150°C 400V

暂无价格 24,500 对比
IRFP350PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

16A(Tc) N-Channel 300 mOhms @ 9.6A,10V 190W(Tc) TO-247-3 -55°C~150°C 400V

暂无价格 0 对比
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16A(Tc) N-Channel 300 mOhms @ 9.6A,10V 190W(Tc) TO-247-3 -55°C~150°C 400V

暂无价格 0 对比

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