FQD5P10TM 与 SIHFR9120-GE3 区别
| 型号 | FQD5P10TM | SIHFR9120-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FQD5P10TM | A3t-SIHFR9120-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 2.5W(Ta),25W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.05 欧姆 @ 1.8A,10V | 600 mOhms @ 3.4A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),25W(Tc) | 2.5W,42W |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±30V | - |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | TO-252 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 3.6A(Tc) | 5.6A(Tc) |
| 系列 | QFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 250pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.2nC @ 10V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 250pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.2nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQD5P10TM | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
2.5W(Ta),25W(Tc) 1.05 Ohms@1.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK 3.6A P-Channel 100V 3.6A(Tc) ±30V 1.05 欧姆 @ 1.8A,10V -55°C~150°C(TJ) D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
|
SIHFR9120-GE3 | Vishay | 功率MOSFET |
5.6A(Tc) P-Channel 600 mOhms @ 3.4A,10V 2.5W,42W TO-252 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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