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FQD20N06TM  与  SUD23N06-31-GE3  区别

型号 FQD20N06TM SUD23N06-31-GE3
唯样编号 A3t-FQD20N06TM A3t-SUD23N06-31-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 FQD20N06 Series 60 V 16.8 A 63 mOhm N-Ch N-Channel QFET® MOSFET - DPAK-3 Single N-Channel 60 V 0.031 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2.5W(Ta),38W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 63 毫欧 @ 8.4A,10V 31 mOhms @ 15A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),38W(Tc) 5.7W(Ta),31.25W(Tc)
Vgs(th) - 3V @ 250uA
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 16.8A(Tc) 21.4A(Tc)
系列 QFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 590pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 590pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQD20N06TM ON Semiconductor 功率MOSFET

2.5W(Ta),38W(Tc) 63m Ohms@8.4A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK 16.8A N-Channel 60V 16.8A(Tc) ±25V 63 毫欧 @ 8.4A,10V -55°C~150°C(TJ) D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
SUD23N06-31-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

21.4A(Tc) N-Channel 31 mOhms @ 15A,10V 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V

暂无价格 4,000 对比
SUD23N06-31-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

21.4A(Tc) N-Channel 31 mOhms @ 15A,10V 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V

暂无价格 0 对比
SUD23N06-31-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

21.4A(Tc) N-Channel 31 mOhms @ 15A,10V 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V

暂无价格 0 对比

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