FQD19N10LTF 与 SIHLR120TR-GE3 区别
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规格信息
型号	FQD19N10LTF	SIHLR120TR-GE3
唯样编号	A3t-FQD19N10LTF	A3t-SIHLR120TR-GE3
制造商	ON Semiconductor	Vishay
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	未分类	未分类
描述		Vishay Si N沟道 MOSFET SIHLR120TR-GE3, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据表
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	2.5W(Ta),50W(Tc)	42W
宽度	-	6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs	100 毫欧 @ 7.8A,10V	380 m0hms
引脚数目	-	3
最小栅阈值电压	-	1V
栅极电压Vgs	±20V	-10 V、+10 V
封装/外壳	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63	6.736.222.38mm
连续漏极电流Id	15.6A(Tc)	7.7 A
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-
长度	-	6.73mm
最低工作温度	-	-55 °C
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	5V,10V	-
每片芯片元件数目	-	1 Ohms
最高工作温度	-	+150 °C
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	870pF @ 25V	-
高度	-	2.38mm
类别	-	功率 MOSFET
典型关断延迟时间	-	21 ns
漏源极电压Vds	100V	490 pF@ 25 V
晶体管材料	-	Si
晶体管配置	-	单
FET类型	N-Channel	增强
典型接通延迟时间	-	9.8 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	18nC @ 5V	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

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