FQB8N60CTM 与 SIHFS9N60A-GE3 区别
| 型号 | FQB8N60CTM | SIHFS9N60A-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FQB8N60CTM | A3t-SIHFS9N60A-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | N-Channel 600 V 7.5 A 1.2 O Surface Mount QFET® Mosfet - TO-263 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 3.13W(Ta),147W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V | 750 mOhms @ 5.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.13W(Ta),147W(Tc) | 170W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±30V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | TO-263AB |
| 连续漏极电流Id | 7.5A | 9.2A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 系列 | QFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1255pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 36nC @ 10V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1255pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 36nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQB8N60CTM | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
7.5A(Tc) ±30V 3.13W(Ta),147W(Tc) 1.2Ω@3.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 600V 7.5A 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SIHFS9N60A-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
9.2A(Tc) N-Channel 750 mOhms @ 5.5A,10V 170W(Tc) TO-263AB -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 50 | 对比 |
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SIHFS9N60A-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
9.2A(Tc) N-Channel 750 mOhms @ 5.5A,10V 170W(Tc) TO-263AB -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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