FQB6N25TM 与 SIHF634S-GE3 区别
| 型号 | FQB6N25TM | SIHF634S-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FQB6N25TM | A3t-SIHF634S-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 未分类 |
| 描述 | Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF634S-GE3, 8.1 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 3.13W(Ta),63W(Tc) | 74 W |
| 宽度 | - | 9.65mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1 欧姆 @ 2.75A,10V | 450 m0hms |
| 引脚数目 | - | 3 |
| 最小栅阈值电压 | - | 2V |
| 栅极电压Vgs | ±30V | -20 V、+20 V |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | 10.67*9.65*4.83mm |
| 连续漏极电流Id | 5.5A(Tc) | 8.1 A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 长度 | - | 10.67mm |
| 最低工作温度 | - | -55 °C |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms |
| 最高工作温度 | - | +150 °C |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 300pF @ 25V | - |
| 高度 | - | 4.83mm |
| 类别 | - | 功率 MOSFET |
| 典型关断延迟时间 | - | 42 ns |
| 漏源极电压Vds | 250V | 770 pF @ 25 V |
| 晶体管材料 | - | Si |
| 晶体管配置 | - | 单 |
| FET类型 | N-Channel | 增强 |
| 典型接通延迟时间 | - | 9.6 ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.5nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQB6N25TM | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
|
SIHF634S-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
