FQB19N20CTM 与 SIHF640S-GE3 区别
| 型号 | FQB19N20CTM | SIHF640S-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FQB19N20CTM | A3t-SIHF640S-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | N-Channel 200 V 0.17 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 3.13W(Ta),139W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 170 毫欧 @ 9.5A,10V | 180 mOhms @ 11A,10V |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.13W(Ta),139W(Tc) | 3.1W(Ta),130W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±30V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | TO-263AB |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 19A(Tc) | 18A(Tc) |
| 系列 | QFET® | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1080pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 53nC @ 10V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1080pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 53nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FQB19N20CTM | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
3.13W(Ta),139W(Tc) 170m Ohms@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK 19A N-Channel 200V 19A(Tc) ±30V 170 毫欧 @ 9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) D²PAK(TO-263AB) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SIHF640S-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 11A,10V 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263AB -55°C~150°C 200V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUM65N20-30-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.75W(Ta),375W(Tc) 30mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 200V 65A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUM65N20-30-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.75W(Ta),375W(Tc) 30mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 200V 65A |
暂无价格 | 0 | 对比 |