FQB19N20CTM 与 SUM65N20-30-E3 区别
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规格信息
型号	FQB19N20CTM	SUM65N20-30-E3
唯样编号	A3t-FQB19N20CTM	A-SUM65N20-30-E3
制造商	ON Semiconductor	Vishay
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	功率MOSFET
描述	N-Channel 200 V 0.17 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3	MOSFET
数据表		SUM65N20-30-E3.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	3.13W(Ta),139W(Tc)	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	170 毫欧 @ 9.5A,10V	30mΩ@30A,10V
零件号别名	-	SUM65N20-30
漏源极电压Vds	200V	200V
Pd-功率耗散(Max)	3.13W(Ta),139W(Tc)	3.75W(Ta),375W(Tc)
栅极电压Vgs	±30V	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB	D2PAK
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id	19A(Tc)	65A
系列	QFET®	SUM
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1080pF @ 25V	5100pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	53nC @ 10V	130nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1080pF @ 25V	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	53nC @ 10V	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
FQB19N20CTM	ON Semiconductor		通用MOSFET	3.13W(Ta),139W(Tc) 170m Ohms@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK 19A N-Channel 200V 19A(Tc) ±30V 170 毫欧 @ 9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) D²PAK(TO-263AB) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB	暂无价格	当前型号
SIHF640S-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	18A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 11A,10V 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263AB -55°C~150°C 200V	暂无价格	对比
SUM65N20-30-E3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±20V 3.75W(Ta),375W(Tc) 30mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 200V 65A	暂无价格	对比
SUM65N20-30-E3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±20V 3.75W(Ta),375W(Tc) 30mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 200V 65A	暂无价格	对比