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FQA28N50F  与  IRFP31N50LPBF  区别

型号 FQA28N50F IRFP31N50LPBF
唯样编号 A3t-FQA28N50F A3t-IRFP31N50LPBF
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 500 V 0.18 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 310W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 160 毫欧 @ 14.2A,10V 180mΩ
漏源极电压Vds 500V 500V
Pd-功率耗散(Max) - 460W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3 TO-247-3
连续漏极电流Id 28.4A(Tc) 31A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 210nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5600pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQA28N50F ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
IRFP31N50LPBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 31A(Tc) ±30V 460W(Tc) 180m Ohms@19A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 500V 31A 180mΩ

暂无价格 0 对比
IRFP31N50LPBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 31A(Tc) ±30V 460W(Tc) 180m Ohms@19A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 500V 31A 180mΩ

暂无价格 0 对比
IRFP31N50LPBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 31A(Tc) ±30V 460W(Tc) 180m Ohms@19A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 500V 31A 180mΩ

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