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FQA19N60  与  IRFP21N60LPBF  区别

型号 FQA19N60 IRFP21N60LPBF
唯样编号 A3t-FQA19N60 A3t-IRFP21N60LPBF
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 N Channel 600 V 380 mO 300 W QFET Mosfet Flange Mount - TO-3PN IRFP21N60L Series N-Channel 600 V 320 mOhm 330 W Power Mosfet - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 300W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 380 毫欧 @ 9.3A,10V 320 mOhms @ 13A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 330W(Tc)
Vgs(th) - 5V @ 250uA
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3 TO-247-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 18.5A(Tc) 21A(Tc)
系列 QFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 90nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 90nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQA19N60 ON Semiconductor 通用MOSFET

300W(Tc) 380m Ohms@9.3A,10V -55°C~150°C(TJ) 18.5A N-Channel 600V 18.5A(Tc) ±30V 380 毫欧 @ 9.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-3PN TO-3P-3,SC-65-3

暂无价格 0 当前型号
IRFP21N60LPBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

21A(Tc) N-Channel 320 mOhms @ 13A,10V 330W(Tc) TO-247-3 -55°C~150°C 600V

暂无价格 0 对比

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