FODM8801CV 与 SI3585CDV-T1-GE3 区别
| 型号 | FODM8801CV | SI3585CDV-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FODM8801CV | A-SI3585CDV-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET |
| 描述 | Dual N / P-Channel 20 V 0.058/0.195 O 4.8 nC Surface Mount Power Mosfet - TSOP- | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 58 mOhms @ 2.5A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | - | 20V |
| 输入类型 | DC | - |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.4W,1.3W |
| 电流 - DC 正向（If） | 20mA | - |
| 电压 - 输出（最大值） | 75V | - |
| 电流 - 输出/通道 | 30mA | - |
| Vgs(th) | - | 1.5V @ 250uA |
| 电流传输比（最大值） | 400% @ 1mA | - |
| FET类型 | - | N+P-Channel |
| 输出类型 | 晶体管 | - |
| 封装/外壳 | 4-Mini-Flat | TSOT-23-6 |
| 电压 - 隔离 | 3750Vrms | - |
| 工作温度 | -40°C~125°C | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | - | 3.9A,2.1A |
| Vce 饱和值（最大值） | 400mV | - |
| 打开 / 关闭时间（典型值） | 6µs,6µs | - |
| 上升/下降时间（典型值） | 5µs,5.5µs | - |
| 电压 - 正向（Vf）（典型值） | 1.35V | - |
| 通道数 | 1 Ohms | - |
| 电流传输比（最小值） | 200% @ 1mA | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FODM8801CV | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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VOS618A-X001T | Vishay | 数据手册 | 晶体管输出光耦 | 暂无价格 | 2 | 对比 | |
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SI3585CDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
3.9A,2.1A N+P-Channel 58 mOhms @ 2.5A,4.5V 1.4W,1.3W TSOT-23-6 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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VOS618A-X001T | Vishay | 数据手册 | 晶体管输出光耦 | 暂无价格 | 0 | 对比 | |
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IFSC1008ABER2R2M01 | Vishay | 数据手册 | 贴片功率电感 |
90m Ohms 2.2uH ±20% 1.7A 2.5*2.0*1.2mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IFSC1008ABER2R2M01 | Vishay | 数据手册 | 贴片功率电感 |
90m Ohms 2.2uH ±20% 1.7A 2.5*2.0*1.2mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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