FDZ372NZ 与 SI8410DB-T2-E1 区别
| 型号 | FDZ372NZ | SI8410DB-T2-E1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDZ372NZ | A-SI8410DB-T2-E1 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 小信号MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | - | 4-uFBGA |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 37mΩ@1.5A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | - | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 780mW(Ta),1.8W(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.5V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 850mV @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 620pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 16nC @ 8V |
| 栅极电压Vgs | - | ±8V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDZ372NZ | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
|
SI8410DB-T2-E1 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 20V ±8V 780mW(Ta),1.8W(Tc) 37mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 4-uFBGA |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
SI8410DB-T2-E1 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 20V ±8V 780mW(Ta),1.8W(Tc) 37mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 4-uFBGA |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SI8472DB-T2-E1 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
3.3A(Ta) N-Channel 44 mOhms @ 1.5A,4.5V 780mW(Ta) 4-UFBGA -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
