FDZ197PZ 与 SI8499DB-T2-E1 区别
| 型号 | FDZ197PZ | SI8499DB-T2-E1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDZ197PZ | A3t-SI8499DB-T2-E1 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | Si8499DB Series P-Channel 20 V 32 mOhm Surface Mount Power Mosfet - MICRO FOOT | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 1.9W(Ta) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 64 毫欧 @ 2A,4.5V | 32mΩ |
| 漏源极电压Vds | 20V | 1.3V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.77W(Ta),13W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±12V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 6-uFBGA,WLCSP | MicroFoot-6 |
| 连续漏极电流Id | 3.8A(Ta) | 7.8A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1300pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30nC @ 5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.5V,4.5V | 1.8V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1570pF @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDZ197PZ | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SI8499DB-T2-E1 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 16A(Tc) ±12V 2.77W(Ta),13W(Tc) 32mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) MicroFoot-6 20V 7.8A 32mΩ 1.3V |
暂无价格 | 35 | 对比 |
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SI8499DB-T2-E1 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 16A(Tc) ±12V 2.77W(Ta),13W(Tc) 32mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) MicroFoot-6 20V 7.8A 32mΩ 1.3V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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