FDY4000CZ 与 SI1016CX-T1-GE3 区别
| 型号 | FDY4000CZ | SI1016CX-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDY4000CZ | A-SI1016CX-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Dual N & P-Channel 20 V 700 mOhm Complementary PowerTrench Mosfet - SC-89-6 | Si1016CX Series 20 V 396 mOhm Surface Mount N and P-Channel MOSFET - SC-89-6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 446mW | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 700 毫欧 @ 600mA,4.5V | 396 mOhms @ 500mA,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 446mW | 220mW |
| Vgs(th) | - | 1V @ 250uA |
| FET类型 | 逻辑电平门 | N+P-Channel |
| 封装/外壳 | SC-89-6 | SOT-563 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 600mA,350mA | - |
| 系列 | PowerTrench® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 60pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1.1nC @ 4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 60pF @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1.1nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 50 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDY4000CZ | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
700m Ohms@600mA,4.5V 446mW -55°C~150°C(TJ) SOT-563F 0.6A/0.35A N+P-Channel 逻辑电平门 20V 600mA,350mA 700 毫欧 @ 600mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-563,SOT-666 SC-89-6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SI1016CX-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 396 mOhms @ 500mA,4.5V 220mW SOT-563 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 50 | 对比 |
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SI1016CX-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 396 mOhms @ 500mA,4.5V 220mW SOT-563 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI1016CX-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 396 mOhms @ 500mA,4.5V 220mW SOT-563 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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