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FDY301NZ  与  SI1012CR-T1-GE3  区别

型号 FDY301NZ SI1012CR-T1-GE3
唯样编号 A3t-FDY301NZ A-SI1012CR-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 20 V 5 Ohm Specified PowerTrench Mosfet - SC-89-3 N-Channel 20 V 0.396 Ohm 0.24 W Surface Mount Mosfet - SC-75A
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 625mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 5 欧姆 @ 200mA,4.5V 396mΩ@0.6A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 625mW(Ta) 0.24W
栅极电压Vgs ±12V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SC-89,SOT-490 SC-75A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 200mA(Ta) 0.63A
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 60pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.1nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 60pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.1nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 40
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDY301NZ ON Semiconductor 通用MOSFET

625mW(Ta) 5 Ohms@200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-523F 0.2A N-Channel 20V 200mA(Ta) ±12V 5 欧姆 @ 200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SC-89-3 SC-89,SOT-490

暂无价格 0 当前型号
SI1012CR-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SC-75A N-Channel 0.24W 396mΩ@0.6A,4.5V -55°C~150°C ±8V 20V 0.63A

暂无价格 40 对比

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