FDW2508P 与 SI6913DQ-T1-GE3 区别
| 型号 | FDW2508P | SI6913DQ-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDW2508P | A-SI6913DQ-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Dual P-Channel 12 V 0.037 Ohm 28 nC 0.83 W Silicon SMT Mosfet - TSSOP-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 1W | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18 毫欧 @ 6A,4.5V | 21 mOhms @ 5.8A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 12V | 12V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1W | 830mW |
| Vgs(th) | - | 900mV @ 400uA |
| FET类型 | 逻辑电平门 | 2P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP | TSSOP-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 6A | 4.9A |
| 系列 | PowerTrench® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2644pF @ 6V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 36nC @ 4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2644pF @ 6V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 36nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDW2508P | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
2P-Channel 18m Ohms@6A,4.5V 1W -55°C~150°C(TJ) TSSOP P-Channel 2 个 P 沟道(双) 逻辑电平门 12V 6A 18 毫欧 @ 6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 8-TSSOP |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SI6913DQ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.9A 2P-Channel 21 mOhms @ 5.8A,4.5V 830mW TSSOP-8 -55°C~150°C 12V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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