FDS8447(ROHS) 与 SI4840BDY-T1-GE3 区别
| 型号 | FDS8447(ROHS) | SI4840BDY-T1-GE3 | ||
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| 唯样编号 | A3t-FDS8447(ROHS) | A-SI4840BDY-T1-GE3 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET | ||
| 描述 | N-Channel 40 V 0.009 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 9mΩ | ||
| 漏源极电压Vds | - | 3V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W(Ta),6W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | - | SOIC-8 | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | 19A | ||
| 系列 | - | SI4 | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2000pF @ 20V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 50nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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FDS8447(ROHS) | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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SI4840BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 19A 9mΩ 3V |
￥4.504
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0 | 对比 |
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