FDS8333C 与 SI4532CDY-T1-GE3 区别
| 型号 | FDS8333C | SI4532CDY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDS8333C | A-Si4532CDY-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 9/10W | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 80 毫欧 @ 4.1A,10V | 47 mOhms @ 3.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.78W |
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA |
| FET类型 | 逻辑电平门 | N+P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOIC |
| 连续漏极电流Id | 4.1A,3.4A | 6A,4.3A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 282pF @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.6nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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FDS8333C | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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SI4532CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A,4.3A N+P-Channel 47 mOhms @ 3.5A,10V 2.78W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥2.233
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203 | 对比 | ||||||
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SI4532CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A,4.3A N+P-Channel 47 mOhms @ 3.5A,10V 2.78W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SI4532CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A,4.3A N+P-Channel 47 mOhms @ 3.5A,10V 2.78W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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