FDS6990AS 与 SI4214DDY-T1-GE3 区别
| 型号 | FDS6990AS | SI4214DDY-T1-GE3 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDS6990AS | A36-SI4214DDY-T1-GE3 | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | N-Channel 30 V 22 mOhm Dual PowerTrench SyncFET - SOIC-8 | Dual N-Channel 30 V 0.0195 Ohm 5 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率 | 9/10W | - | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 22 毫欧 @ 7.5A,10V | 19.5 mOhms @ 8A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 900mW | 3.1W | ||||
| Vgs(th) | - | 2.5V @ 250uA | ||||
| FET类型 | 逻辑电平门 | 2N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOIC | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 7.5A | 8.5A | ||||
| 系列 | PowerTrench®,SyncFET™ | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 1mA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 550pF @ 15V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 5V | - | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 1mA | - | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 550pF @ 15V | - | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 5V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 656 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS6990AS | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
22m Ohms@7.5A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 2N-Channel 逻辑电平门 30V 7.5A 22 毫欧 @ 7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||
|
SI4214DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.5A 2N-Channel 19.5 mOhms @ 8A,10V 3.1W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥1.969
|
656 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
