FDS6982AS 与 SI4202DY-T1-GE3 区别
| 型号 | FDS6982AS | SI4202DY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDS6982AS | A-SI4202DY-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET | Dual N-Channel 20 V 14 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 3.99mm | - |
| 功率 | 2W | - |
| 零件号别名 | FDS6982AS_NL | - |
| 正向跨导-最小值 | 32 S, 19 S | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14 m0hms,28 m0hms | 14 mOhms @ 8A,10V |
| 上升时间 | 7 ns | - |
| 引脚数目 | 8 | - |
| 最小栅阈值电压 | 1V | - |
| Vgs(th) | - | 2.5V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | - |
| 封装/外壳 | 5.0*3.99*1.5mm | 8-SOIC |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 6.3 A,8.6 A | 12.1A |
| 配置 | Dual Dual Drain | - |
| 长度 | 5mm | - |
| 最低工作温度 | -55 °C | - |
| 最高工作温度 | +150 °C | - |
| 每片芯片元件数目 | 2 | - |
| 下降时间 | 3 ns | - |
| 高度 | 1.50mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 24 ns, 27 ns | - |
| 漏源极电压Vds | 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V | 30V |
| 晶体管材料 | Si | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 900mW | 3.7W |
| 晶体管配置 | 隔离式 | - |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns | - |
| FET类型 | 增强 | 2N-Channel |
| 系列 | PowerTrench, SyncFET | - |
| 通道数量 | 2 Channel | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 610pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 25 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS6982AS | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
20V 28mΩ@6.3A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 6.3A,8.6A 6.3 A,8.6 A 30 V 14 m0hms,28 m0hms -20 V、+20 V 增强 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V 5.0*3.99*1.5mm |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SI4202DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
12.1A 2N-Channel 14 mOhms @ 8A,10V 3.7W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 25 | 对比 |
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