首页 > 商品目录 > > > > FDS6690A代替型号比较

FDS6690A  与  DMN4800LSS-13  区别

型号 FDS6690A DMN4800LSS-13
唯样编号 A3t-FDS6690A A3-DMN4800LSS-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 12.5 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12.5mΩ@11A,10V 16mΩ@9A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W 1.46W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SO-8 SOP
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A 8.6A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.6V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 798pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.47nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS6690A ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel

暂无价格 0 当前型号
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C

暂无价格 6,000 对比
AO4406A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C

¥0.8235 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.8235
0 对比
SI4410DYPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 10A 14mΩ 2.5W

暂无价格 0 对比
DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.46W(Ta) 16mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 8.6A

暂无价格 0 对比
AUIRF7805QTR Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 13A(Ta) ±12V 2.5W(Ta) 11mΩ@7A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SO8 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售