FDS6681ZCT-ND 与 SI4497DY-T1-GE3 区别
| 型号 | FDS6681ZCT-ND | SI4497DY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDS6681ZCT-ND | A-SI4497DY-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2.7mΩ |
| 上升时间 | - | 13ns |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 7.8W |
| Qg-栅极电荷 | - | 285nC |
| 栅极电压Vgs | - | 2.5V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 115ns |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 75S |
| 封装/外壳 | - | SOIC-8 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 36A |
| 系列 | - | SI4 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 9685pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 285nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 25ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 19ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 40 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS6681ZCT-ND | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
|
SI4497DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 36A 7.8W 2.7mΩ 30V 2.5V |
暂无价格 | 10,000 | 对比 |
|
|
SI4497DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 36A 7.8W 2.7mΩ 30V 2.5V |
暂无价格 | 40 | 对比 |
|
|
SI4497DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 36A 7.8W 2.7mΩ 30V 2.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
