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FDS6680AS  与  SI4776DY-T1-GE3  区别

型号 FDS6680AS SI4776DY-T1-GE3
唯样编号 A3t-FDS6680AS A3t-SI4776DY-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 10 mOhm Surface Mount PowerTrench SyncFET Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - 8-SOIC
连续漏极电流Id - 11.9A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 16 mOhms @ 10A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 4.1W(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 2.3V @ 1mA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS6680AS ON Semiconductor 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
SI4776DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

11.9A(Tc) N-Channel 16 mOhms @ 10A,10V 4.1W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V

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