FDS6675A 与 SI4835DDY-T1-GE3 区别
| 型号 | FDS6675A | SI4835DDY-T1-GE3 |
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| 唯样编号 | A3t-FDS6675A | A-SI4835DDY-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET |
| 描述 | P-Channel 30 V 0.018 Ohm 5.6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 2.5W(Ta) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 13 毫欧 @ 11A,10V | 18 mOhms @ 10A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W(Ta),5.6W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±25V | - |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SOIC |
| 连续漏极电流Id | 11A(Ta) | 13A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~150°C |
| Vgs(最大值) | - | ±25V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2330pF @ 15V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 34nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDS6675A | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
13A(Tc) P-Channel 18 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥1.408
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12,014 | 对比 | ||||||||||
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SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
13A(Tc) P-Channel 18 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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