FDS6612A 与 DMN3025LSS-13 区别
| 型号 | FDS6612A | DMN3025LSS-13 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDS6612A | A36-DMN3025LSS-13 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 30 V 22 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 22m Ohms@8.4A,10V | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 1.4W(Ta) | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 20mΩ@10A,10V | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 641 pF @ 15 V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 13.2 nC @ 10 V | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 8.4A | 7.2A(Ta) | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 系列 | PowerTrench® | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 560pF @ 15V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7.6nC @ 5V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 4,986 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS6612A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 22m Ohms@8.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.4A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.9548
|
8,230 | 对比 | ||||||||||
|
|
AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||
|
|
AO4404B | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 12V 8.5A 3.1W 24mΩ@10V |
￥1.0021
|
5,650 | 对比 | ||||||||||
|
DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 7.2A(Ta) |
￥0.7901
|
4,986 | 对比 | ||||||||||
|
DMG4466SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 10A 1.42W 33mΩ 30V 25V |
￥0.9526
|
3,098 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
