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FDS6612A  与  AO4468  区别

型号 FDS6612A AO4468
唯样编号 A3t-FDS6612A A36-AO4468
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 22 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 82
Rds On(Max)@Id,Vgs 22m Ohms@8.4A,10V 17mΩ@10.5A,10V
Rds On(Max)@4.5V - 23mΩ
Qgd(nC) - 3
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) - 5
封装/外壳 8-SOIC SO-8
连续漏极电流Id 8.4A 10.5A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
Ciss(pF) - 740
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Trr(ns) - 18
Td(off)(ns) - 19
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 3.1W
Qrr(nC) - 9
VGS(th) - 2.4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.6nC @ 5V -
Coss(pF) - 110
Qg*(nC) - 7.5
库存与单价
库存 0 8,230
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
60+ :  ¥0.9548
200+ :  ¥0.7348
1,500+ :  ¥0.6391
3,000+ :  ¥0.594
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS6612A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8.4A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 22m Ohms@8.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.4A 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C

¥0.9548 

阶梯数 价格
60: ¥0.9548
200: ¥0.7348
1,500: ¥0.6391
3,000: ¥0.594
8,230 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C

暂无价格 6,000 对比
AO4404B AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 12V 8.5A 3.1W 24mΩ@10V

¥1.0021 

阶梯数 价格
50: ¥1.0021
200: ¥0.7711
1,500: ¥0.6699
3,000: ¥0.6237
5,650 对比
DMN3025LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.4W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 7.2A(Ta)

¥0.7901 

阶梯数 价格
70: ¥0.7901
100: ¥0.6233
1,250: ¥0.5658
2,500: ¥0.5194
4,986 对比
DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 10A 1.42W 33mΩ 30V 25V

¥0.9526 

阶梯数 价格
60: ¥0.9526
100: ¥0.6347
1,250: ¥0.5764
3,098 对比

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