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FDS6574A  与  SI4114DY-T1-GE3  区别

型号 FDS6574A SI4114DY-T1-GE3
唯样编号 A3t-FDS6574A A-SI4114DY-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 20 V 6 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8 Single N-Channel 20 V 6 mOhm 5.7 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2.5W -
宽度 4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 6 m0hms 6 mOhms @ 10A,10V
引脚数目 8 -
最小栅阈值电压 0.4V -
Vgs(th) - 2.1V @ 250uA
栅极电压Vgs -8 V、+8 V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
封装/外壳 5.0*4.0*1.5mm 8-SOIC
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 16 A 20A(Tc)
长度 5mm -
最低工作温度 -55 °C -
Vgs(最大值) - ±16V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
最高工作温度 +175 °C -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7657pF @ 10V -
高度 1.50mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 173 ns -
漏源极电压Vds 7657 pF @ 10 V 20V
晶体管材料 Si -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta),5.7W(Tc)
晶体管配置 -
FET类型 增强 N-Channel
系列 PowerTrench -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7657pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 105nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 19.5 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 105nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 25
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS6574A ON Semiconductor 通用MOSFET

2.5W(Ta) 6m Ohms@16A,4.5V -55°C~175°C(TJ) 16A 20V 16A(Ta) ±8V 6 毫欧 @ 16A,4.5V -55°C~175°C(TJ) 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) N-Channel 16 A 20 V 6 m0hms -8 V、+8 V SOIC 增强 5.0*4.0*1.5mm 7657 pF @ 10 V

暂无价格 0 当前型号
SI4114DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

20A(Tc) N-Channel 6 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 20V

暂无价格 25 对比

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